RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
35
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3242
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link