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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
43
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2501
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Absolute Latency
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Frequency (Mhz) *
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