RAM-Vergleich Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Gesamtnote

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 19200

Rund um 1.33% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

18 33

Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.4 17.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

17.2 12.0

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2910 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns