RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
36
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
3423
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link