RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
30
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3272
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link