RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
48
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2466
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link