RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
54
Rund um 57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2176
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link