RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
42
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2154
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link