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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
96
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
11
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
4.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
96
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
4.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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