RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
37
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3283
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link