RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
37
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3395
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link