RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
64
Rund um 42% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
1965
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link