RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
64
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
10.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
2181
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link