RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
41
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
3401
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link