RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
41
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.7
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
19.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
4322
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link