RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
41
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
3244
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link