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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
16.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3933
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
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Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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