RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
11.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2588
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link