RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
9.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2277
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2666C12 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link