RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
10.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2740
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link