RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation M424016 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation M424016 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
9.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2035
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link