RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
53
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2643
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link