RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
35
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
14.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
3446
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link