RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
38
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2073
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905403-512.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link