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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
35
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2807
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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