RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
39
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
5.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
1699
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link