RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
39
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
8.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
2384
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link