RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
60
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
2.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
7.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
2.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
1505
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link