Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

Gesamtnote
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Gesamtnote
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EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

Unterschiede

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB Gründe für die Berücksichtigung
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 52
    Rund um -79% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.8 left arrow 9.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.2 left arrow 7.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 14900
    Rund um 1.14 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    52 left arrow 29
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.7 left arrow 17.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 13.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2173 left arrow 3208
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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