Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

Gesamtnote
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Gesamtnote
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

Unterschiede

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    39 left arrow 52
    Rund um -33% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.1 left arrow 9.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.9 left arrow 7.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 14900
    Rund um 1.72 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    52 left arrow 39
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.7 left arrow 16.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 11.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    14900 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2173 left arrow 2782
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche