RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
32
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2935
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link