RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2984
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link