RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2696
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link