RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
2436
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link