RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
49
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.4
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.1
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
22.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
20.1
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
4421
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link