RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
51
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2568
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link