RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
51
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2584
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link