RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
49
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2815
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link