RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
52
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
3637
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link