RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
57
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2792
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link