RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
47
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2792
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link