Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Unterschiede

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    14 left arrow 47
    Rund um -236% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    26.4 left arrow 10.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    19.8 left arrow 7.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    47 left arrow 14
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.4 left arrow 26.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 19.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2169 left arrow 4362
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche