RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
47
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2204
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link