RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
81
Rund um 42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
5.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
1651
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link