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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
55
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.9
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
55
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
9.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2424
2314
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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