RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
2808
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link