RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
33
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
17.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
3954
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link