Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Gesamtnote
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Gesamtnote
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Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Unterschiede

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    32 left arrow 33
    Rund um -3% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    18.6 left arrow 8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    15.8 left arrow 7.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 10600
    Rund um 2.42 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    33 left arrow 32
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 18.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.3 left arrow 15.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1911 left arrow 3851
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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