RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
54
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2843
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link