RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
54
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
12.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
1633
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link